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刘卫丽，女，1975年6月生，博士，中共党员，中科院上海微系统所研究员，博士生导师，支部书记。现为全国纳米标准技术委员会微纳加工技术标准化工作组副秘书长。2002年获中科院上海微系统所微电子学与固体电子学博士学位。2001.7-2002.7及2004.3-2004.7期间作为访问学者赴香港城市大学和香港理工大学进行合作研究。
<br>主要从事SOI新材料和器件、纳米电子材料和器件的研究，在SOI方面，进行了SOI创新技术研究，突破4英寸SOI制备的关键技术；深入研究多孔硅外延技术，成功制备出ELTRAN SOI新材料，为解决常规SOI MOS器件的自加热效应的难题，创造性地研究成功以AlN、DLC为埋层的SOI新结构，并以SOI技术研究成功绝缘层上SiGe（SGOI），并在此基础上研制出高质量应变硅材料。同时研究了纳米浮栅存储器和相变存储器，创新性地将埋嵌于HfO2、HfAlO等高k介质材料中纳米Ge晶应用于纳米浮栅存储器，并在开辟C-RAM新研究方向做了大量的工作。近年来，先后在“Applied Physics Letters”等国内外刊物发表一百多篇，其中SCI论文60余篇，申请发明专利20项，其中授权7项。现主持国家863项目、国家自然科学基金和上海市重点攻关项目等。2004年获上海市青年科技启明星、中国科学院优秀博士学位论文，2005年获上海市科技进步一等奖（排名第11），2006年获国家科技进步一等奖（排名第10），2007年获中科院杰出科技成就奖（排名第10）、上海市青年科技启明星跟踪计划。
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<br>教育背景
<br>1999-03--2002-07 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 博士
<br>1996-09--1999-02 浙江大学 硕士学位
<br>1992-09--1996-07 浙江大学 学士学位
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<br>工作简历
<br>2006-01~现在，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，研究员
<br>2004-07~2005-12，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，副研究员
<br>2004-03~2004-07，香港理工大学，访问学者
<br>2002-08~2004-06，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，助理研究员
<br>2001-07~2002-07，香港城市大学，研究助理
<br>1999-03~2002-07，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，博士
<br>1996-09~1999-02，浙江大学，硕士学位
<br>1992-09~1996-07，浙江大学，学士学位
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<br>http://people.ucas.ac.cn/~0003526