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=浙江大学历史学院教授=
现为浙江大学历史学院教授，博士生导师，历史学院学术委员会副主任，兼南开大学美国研究中心特邀研究员，中国美国史研究会常务理事。2008年度“全国百篇优秀博士学位论文”获得者；2012年度教育部“新世纪优秀人才支持计划”入选者；2020年教育部青年长江学者奖励计划入选者。在《历史研究》、《世界历史》、《美国研究》、《西亚非洲》、《当代中国史研究》等专业刊物上发表学术论文多篇；出版学术专著三部；获得并承担高等学校全国优秀博士学位论文作者专项资金、国家社科基金一般项目（结项优秀）、国家社科基金青年项目（结项良好）、霍英东教育基金会青年教师基金基础性研究课题项目、优秀青年团队项目等多个国家级、省级和校级课题项目。为本科生和研究生开设了“世界现当代史”、“美国史”、“冷战史”、“中美关系史”、“文化冷战史”、“世界文明史”等专业课程。对外交流方面，曾赴日本东京学艺大学交流学习一年，赴美国佛罗里达大学（美国国务院项目）、伊利诺伊大学（国家留学基金委项目）和康奈尔大学（博士后研究项目）进行学术访问；多次参加国际国内学术会议。
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<br>https://person.zju.edu.cn/zhangy

=中国科学院半导体研究所研究员=
张杨，男，博士，中国科学院半导体研究所研究员，硕士生导师。2002年6月毕业于浙江大学材料科学与工程学系获工学学士学位，2008年6月毕业于中国科学院半导体研究所微电子学与固体电子学专业获工学博士学位，2008年7月进入中科院半导体所工作。 
<br>北京市科技新星（2010），中国科学院青年创新促进会会员（2015）。作为负责人和科研骨干先后承担和参与多项国家“863”计划、“973”计划、中科院战略性先导科技专项、国家自然科学基金、北京市自然科学基金等项目。先后发表SCI论文50余篇，申请国家发明专利42项。
<br>长期从事砷化镓、磷化铟、锑化物基微电子及光电子材料及器件的研究工作。取得的成果有：
<br>（1）2008年在国内率先研制了基于0.25微米工艺的高性能InP基共振隧穿二极管（RTD）、高电子迁移率（HEMT）晶体管单片集成电路；
<br>（2）2013年在国内首次采用分子束外延技术制备出具有一流电学特性的锑化物基高电子迁移率晶体管，室温下电子迁移率超过30,000cm2/V.s；
<br>（3）2015年起开展了基于新型生物传感器检测研究。研制的肿瘤标志物AFP生物传感器检测极限达到20pg/ml量级，针对环境中重金属离子的检测方面，对Pb2+离子检测极限达到0.1pMol/L量级；
<br>（4）2017年在国内首次研制出用于3D传感、激光雷达的4英寸940nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）外延片。
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<br>经历
<br>1998-09~2002-06,浙江大学,本科/学士
<br>2003-09~2008-06,中国科学院研究生院,研究生/博士
<br>2008-07~2012-12,中国科学院半导体研究所,助理研究员
<br>2013-01~2017-12,中国科学院半导体研究所,副研究员
<br>2018-01~2040-12,中国科学院半导体研究所,研究员
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<br>http://lab.semi.ac.cn/yanjiusheng/contents/1323/115887.html