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赵毅，1977年生，华东师范大学集成电路科学与工程学院院长，教授，博士生导师。2000年本科毕业于南京航空航天大学，同年进入浙江大学材料系攻读硕士学位，毕业后进入上海华虹NEC电子有限公司担任逻辑技术研发工程师，随后申请进入东京大学学习，于2007年获得工学博士学位。博士毕业后，先后在东京大学、IBM、南京大学从事先进集成电路器件与工艺的研究，拥有10年以上的半导体和微电子行业的研究和开发工作经验。目前主要从事三维（FinFET，纳米线）结构纳米CMOS器件物理及工艺、新沟道材料CMOS器件（锗，三五族化合物以及其他新沟道材料)、 纳米CMOS器件的可靠性（NBTI，HCI，TDDB等）方面的研究。
<br>曾多年在美国IBM国际半导体研发联盟/Globalfoundries公司，（日本）东京大学从事先进集成电路器件与工艺方面的研究，在以下几个研究方向取得了突出成果：1）高性能锗，应力硅CMOS器件；2）用于先进CMOS器件的高介电常数（k）栅极介质；3）CMOS器件与工艺的可靠性。已多次在国际电子器件领域的权威会议IEEE IEDM和VLSI Symposium上报告研究成果，以第一作者和通讯作者在IEEE Transaction on Electron Devices, IEEE Electron Device Letters ，Applied Physics Letters等权威杂志上发表文章多篇。全职回国后，已在新沟道材料尤其是Ge和III-V族化合物沟道CMOS器件和工艺领域开展了大量的工作。
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<br>教育经历
<br>2004.10–2007.09，（日本）东京大学材料工程系，博士。
<br>2000.09–2003.06，浙江大学硅材料国家重点实验室，硕士。
<br>1996.09–2000.07，南京航空航天大学材料科学与工程系，本科。
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<br>https://faculty.ecnu.edu.cn/_s15/zy2/main.psp