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吴惠桢 - 版本历史
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2020年5月19日 (二) 16:52 辰羲
2020-05-19T16:52:26Z
<p></p>
<table style="background-color: #fff; color: #202122;" data-mw="interface">
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<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">2020年5月20日 (三) 00:52的版本</td>
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<tr><td class="diff-marker" data-marker="−"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><del style="font-weight: bold; text-decoration: none;">&nbsp; 吴惠桢， 浙江大学教授吴惠桢[1]男，1959年出生于浙江省东阳市，1982年杭州大学物理系本科毕业，1991～1995英国曼彻斯特大学理工学院（UMIST）留学，1995年获得UMIST半导体物理专业博士学位，1998年美国俄克拉荷马大学电子工程系作博士后研究，1999年起任浙江大学物理系教授、博士生导师，2000、2001年美国俄克拉荷马大学电子工程系和物理系做高级研究员，1999年入选浙江省‘151人才计划'，2002年入选中国科学院‘百人计划'专家。</del><br><del style="font-weight: bold; text-decoration: none;"> 现任浙江大学电子与无线电物理研究所所长，中国仪器仪表学会仪表材料学会理事，《红外与毫米波学报》编委。<br> 研究方向：<br> 半导体低维结构与器件物理</del><br><del style="font-weight: bold; text-decoration: none;"> 主要研究课题：<br> (1) IV－VI族半导体低维结构（包括量子阱、超晶格和量子点）的分子束外延、光学、电学和磁学特性及其光电子器件研究。 主持着国家自然科学基金重点项目 1 项，项目名称： IV-VI 族半导体低维结构的光、电、磁学特性及其中红外激光器研究（ 2005 年 1 月— 2008 年 12 月）。<br> (2) ZnO 基微结构材料的制备、物理特性及其在微纳电子、光电子器件中的应用研究。主持着国家自然科学基金面上项目 1 项，项目名称： ZnO 晶体薄膜及其量子点结构的光学性质研究。<br> 主要学术成绩：</del><br> 近年来发表 SCI、EI论文80余篇（其中权威性杂志Appl. Phys. Lett., Phys. Rev. B等杂志近10篇）；国际会议报告五次；论文他引150余次；申请国家发明专利6项；<br> 《 LASER FOCUS WORLD》杂志在2001年将IV－VI中红外VCSEL的研究成果作了突破性进展的专门报道。 获得二○○三年浙江省教育厅科技进步二等奖。</div></td><td class="diff-marker" data-marker="+"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;">吴惠桢，浙江大学物理系教授。</ins></div></td></tr>
<tr><td colspan="2" class="diff-side-deleted"></td><td class="diff-marker" data-marker="+"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><br><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;">1959年出生于浙江省东阳市，1982年杭州大学物理系本科毕业，1991～1995英国曼彻斯特大学理工学院（UMIST）留学，1995年7月英国曼彻斯特大学理工学院（UMIST）获半导体物理学博士学位，1998年美国俄克拉荷马大学电子工程系从事博士后研究工作，1999年7月晋升浙江大学教授，2000年起任浙江大学物理系教授、博士生导师， 2000年3月至2001年12月美国俄克拉荷马大学电子工程系和物理系访问教授，1999年入选浙江省‘151人才计划'，2002年7月入选中国科学院“百人计划”，2002年7月至2005年8月兼任中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室“百人计划”研究员，2010年开始任浙江大学求是特聘教授、博士生导师，浙江大学电子与无线电物理研究所所长，中国仪器仪表学会仪表材料学会理事，中国物理学会半导体专业委员会委员和《红外与毫米波学报》编委。</ins></div></td></tr>
<tr><td colspan="2" class="diff-side-deleted"></td><td class="diff-marker" data-marker="+"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><br></div></td></tr>
<tr><td colspan="2" class="diff-side-deleted"></td><td class="diff-marker" data-marker="+"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;">主要学术成绩：</ins><br> 近年来发表 SCI、EI论文80余篇（其中权威性杂志Appl. Phys. Lett., Phys. Rev. B等杂志近10篇）；国际会议报告五次；论文他引150余次；申请国家发明专利6项；<br> 《 LASER FOCUS WORLD》杂志在2001年将IV－VI中红外VCSEL的研究成果作了突破性进展的专门报道。 获得二○○三年浙江省教育厅科技进步二等奖。</div></td></tr>
<tr><td colspan="2" class="diff-side-deleted"></td><td class="diff-marker" data-marker="+"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;"><br></ins></div></td></tr>
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辰羲
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辰羲：以内容“ 吴惠桢， 浙江大学教授吴惠桢[1]男，1959年出生于浙江省东阳市，1982年杭州大学物理系本科毕业，1991～1995英国曼彻斯...”创建新页面
2012-03-08T15:50:30Z
<p>以内容“ 吴惠桢， 浙江大学教授吴惠桢[1]男，1959年出生于浙江省东阳市，1982年杭州大学物理系本科毕业，1991～1995英国曼彻斯...”创建新页面</p>
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辰羲