盛况 - 版本历史

2021年8月16日 (一) 16:06 辰羲

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	盛况教授，曾任美国Rutgers，The State Univ. of New Jersey大学副教授，2009年被教育部评为“长江学者”，同年底加入浙江大学电气工程学院任特聘教授，主要研究方向为电力电子器件（硅基器件、碳化硅器件等）、电力电子集成电路技术。		盛况，1974年10月出生，浙江大学求是特聘教授，博士生导师。
			<br>1995年获浙江大学电力电子技术学士，1999年获英国赫瑞瓦特大学电子及计算机工程博士，1999-2002年任英国剑桥大学博士后，2008年获美国Rugters大学终身教职；2009年至今任浙江大学电气工程学院教授、博导，2017年起至今任浙江大学电气工程学院院长。
	~~个人简介~~		<br>长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
	~~  盛况，男，1974年10月生，2009教育部长江学者，特聘教授，博士生导师。~~		<br>团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。团队也和国内外著名企业开展合作推进成果的产业化，合作企业包括国家电网、中车、中电集团、华为、华润微电子、台达、德国英飞凌、美国福特等公司，实现了碳化硅和硅基电力电子芯片的产业化。相关的成果在国际顶级学术期刊及会议发表论文270余篇，引用次数2700次以上，获授权专利20余项（40余项申请中），2010年获浙江省自然科学二等奖，2019年获国家技术发明二等奖。
	~~  1995年毕业于浙江大学获电力电子专业学士学位；1999年毕业于英国爱丁堡Heriot~~-Watt大学获计算机及电气工程博士学位；1999-2002年英国剑桥大学工程学系任博士后；2002-2009在美国Rutegers大学（即新泽西州大学）任教，获终身教职；2009年被评为教育部长江学者，担任浙江大学电气工程学院特聘教授。		<br>
	~~  主要学术兼职有：Associate Editor~~, IEEE Transactions on Power Electronics（Top期刊）；Associate Editor, IEEE Transactions on Industry Applications （Top期刊）；IEEE高级会员；美国国家科学基金(NSF)评审委员会委员；多家国际著名学术刊物审稿人（IEEE T-PEL, IEEE T-IAS, IEEE T-ED, IEEE EDL, IEEE T-DEI, IEEE T-IE, Int. ~~J. of Solid~~-State Electr., Semiconductor Science and Technology, Journal of Physics D: Applied Physics）；多次担任国际会议技术、国际委员会委员（IASTED AsiaPES’07，08，09，IEEE Industrial Electronics and Applications’09, ICSET’08，PEDS’03等）。		<br>主要荣誉：
	研究方向为：电力电子技术，主要包括：1）新型的碳化硅电力电子器件，包括碳化硅平面型/垂直型功率器件（SiC-SBD, SiC-JFET，SiC-BJT, SiC-MOSFET）；2）碳化硅功率电力电子集成电路芯片；3）SOI电力电子集成电路技术；4）IGBT器件的模型、芯片设计、模块设计、可靠性和产业化研究等。		<br>2009年，获国家教育部长江学者
			<br>2012年，获国家杰出青年科学基金资助
			<br>2013年，获中组部“万人计划”科技创新领军人才
	~~工作研究领域~~		<br>2014年，获中国侨界贡献奖（创新人才）
			<br>主要奖项：
	~~电力电子器件和电力电子集成电路领域~~		<br>2010年，浙江省自然科学二等奖
	~~联系方式~~		<br>2019年，国家技术发明二等奖（排二）
			<br>
	~~电话：0571-87952234~~		<br>https://person.zju.edu.cn/shengkuang
	~~电子信箱：shengk@~~zju.edu.cn

2012年4月18日 (三) 05:22 辰羲

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	个人简介		个人简介
	盛况，男，1974年10月生，2009教育部长江学者，特聘教授，博士生导师。		盛况，男，1974年10月生，2009教育部长江学者，特聘教授，博士生导师。
	1995年毕业于浙江大学获电力电子专业学士学位；1999年毕业于英国爱丁堡Heriot-Watt大学获计算机及电气工程博士学位；1999-2002年英国剑桥大学工程学系任博士后；2002-2009在美国Rutegers大学（即新泽西州大学）任教，获终身教职；2009年被评为教育部长江学者，担任浙江大学电气工程学院特聘教授。		1995年毕业于浙江大学获电力电子专业学士学位；1999年毕业于英国爱丁堡Heriot-Watt大学获计算机及电气工程博士学位；1999-2002年英国剑桥大学工程学系任博士后；2002-2009在美国Rutegers大学（即新泽西州大学）任教，获终身教职；2009年被评为教育部长江学者，担任浙江大学电气工程学院特聘教授。
	主要学术兼职有：Associate Editor, IEEE Transactions on Power Electronics（Top期刊）；Associate Editor, IEEE Transactions on Industry Applications （Top期刊）；IEEE高级会员；美国国家科学基金(NSF)评审委员会委员；多家国际著名学术刊物审稿人（IEEE T-PEL, IEEE T-IAS, IEEE T-ED, IEEE EDL, IEEE T-DEI, IEEE T-IE, Int. J. of Solid-State Electr., Semiconductor Science and Technology, Journal of Physics D: Applied Physics）；多次担任国际会议技术、国际委员会委员（IASTED AsiaPES’07，08，09，IEEE Industrial Electronics and Applications’09, ICSET’08，PEDS’03等）。		主要学术兼职有：Associate Editor, IEEE Transactions on Power Electronics（Top期刊）；Associate Editor, IEEE Transactions on Industry Applications （Top期刊）；IEEE高级会员；美国国家科学基金(NSF)评审委员会委员；多家国际著名学术刊物审稿人（IEEE T-PEL, IEEE T-IAS, IEEE T-ED, IEEE EDL, IEEE T-DEI, IEEE T-IE, Int. J. of Solid-State Electr., Semiconductor Science and Technology, Journal of Physics D: Applied Physics）；多次担任国际会议技术、国际委员会委员（IASTED AsiaPES’07，08，09，IEEE Industrial Electronics and Applications’09, ICSET’08，PEDS’03等）。
	研究方向为：电力电子技术，主要包括：1）新型的碳化硅电力电子器件，包括碳化硅平面型/垂直型功率器件（SiC-SBD, SiC-JFET，SiC-BJT, SiC-MOSFET）；2）碳化硅功率电力电子集成电路芯片；3）SOI电力电子集成电路技术；4）IGBT器件的模型、芯片设计、模块设计、可靠性和产业化研究等。		研究方向为：电力电子技术，主要包括：1）新型的碳化硅电力电子器件，包括碳化硅平面型/垂直型功率器件（SiC-SBD, SiC-JFET，SiC-BJT, SiC-MOSFET）；2）碳化硅功率电力电子集成电路芯片；3）SOI电力电子集成电路技术；4）IGBT器件的模型、芯片设计、模块设计、可靠性和产业化研究等。

2012年4月18日 (三) 05:22 辰羲

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	盛况教授，曾任美国Rutgers，The State Univ. of New Jersey大学副教授，2009年被教育部评为“长江学者”，同年底加入浙江大学电气工程学院任特聘教授，主要研究方向为电力电子器件（硅基器件、碳化硅器件等）、电力电子集成电路技术。		盛况教授，曾任美国Rutgers，The State Univ. of New Jersey大学副教授，2009年被教育部评为“长江学者”，同年底加入浙江大学电气工程学院任特聘教授，主要研究方向为电力电子器件（硅基器件、碳化硅器件等）、电力电子集成电路技术。

			个人简介
			盛况，男，1974年10月生，2009教育部长江学者，特聘教授，博士生导师。
			1995年毕业于浙江大学获电力电子专业学士学位；1999年毕业于英国爱丁堡Heriot-Watt大学获计算机及电气工程博士学位；1999-2002年英国剑桥大学工程学系任博士后；2002-2009在美国Rutegers大学（即新泽西州大学）任教，获终身教职；2009年被评为教育部长江学者，担任浙江大学电气工程学院特聘教授。
			主要学术兼职有：Associate Editor, IEEE Transactions on Power Electronics（Top期刊）；Associate Editor, IEEE Transactions on Industry Applications （Top期刊）；IEEE高级会员；美国国家科学基金(NSF)评审委员会委员；多家国际著名学术刊物审稿人（IEEE T-PEL, IEEE T-IAS, IEEE T-ED, IEEE EDL, IEEE T-DEI, IEEE T-IE, Int. J. of Solid-State Electr., Semiconductor Science and Technology, Journal of Physics D: Applied Physics）；多次担任国际会议技术、国际委员会委员（IASTED AsiaPES’07，08，09，IEEE Industrial Electronics and Applications’09, ICSET’08，PEDS’03等）。
			研究方向为：电力电子技术，主要包括：1）新型的碳化硅电力电子器件，包括碳化硅平面型/垂直型功率器件（SiC-SBD, SiC-JFET，SiC-BJT, SiC-MOSFET）；2）碳化硅功率电力电子集成电路芯片；3）SOI电力电子集成电路技术；4）IGBT器件的模型、芯片设计、模块设计、可靠性和产业化研究等。


			工作研究领域

			电力电子器件和电力电子集成电路领域
			联系方式

			电话：0571-87952234
			电子信箱：shengk@zju.edu.cn

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 盛况教授，曾任美国Rutgers，The State Univ. of New Jersey大学副教授，2009年被教育部评为“长江学者”，同年底加入浙江大学电气工程学院任特聘教授，主要研究方向为电力电子器件（硅基器件、碳化硅器件等）、电力电子集成电路技术。

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2021年8月16日 (一) 16:06 辰羲

2012年4月18日 (三) 05:22 辰羲

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