张杨

张杨，男，博士，副研究员，硕士生导师。

　　北京市“科技新星”，中国科学院“青年创新促进会”会员。2002年6月毕业于浙江大学材料科学与工程学系获工学学士学位，2008年6月毕业于中国科学院半导体研究所微电子学与固体电子学专业获工学博士学位，2008年7月进入中科院半导体所工作。

　　长期从事III-V族、II-VI族半导体材料的分子束外延生长、器件工艺以及单片集成电路的研究工作。取得的主要成果包括：（1）在国内率先研制了基于0.25微米工艺的高性能InP基共振隧穿二极管（RTD）/高电子迁移率（HEMT）晶体管单片集成电路；（2）采用分子束外延技术制备出具有一流电学特性的锑化物基高电子迁移率晶体管材料，利用生长的材料研制出超低功耗锑化物基高电子迁移率晶体管；（3）研制出高性能生物检测芯片，基于低功耗电子器件的肿瘤标志物生物传感器检测极限达到pg/ml量级，对环境重金属汞离子检测极限达到10-10 M量级。

　　作为负责人和科研骨干先后承担和参与多项国家“863”计划、“973”计划、中科院战略性先导科技专项、国家自然科学基金、北京市自然科学基金等项目。已发表高水平SCI文章40余篇，申请和授权国家发明专利7项。

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