袁国栋，男，博士，研究员，博士生导师。
1977年7月生于山西静乐，1999年获北京科技大学金属材料与热处理专业工学学士学位，2006年获浙江大学硅材料国家重点实验室半导体材料工学博士学位。2006至2012年先后在香港城市大学、德国波鸿鲁尔大学和德国柏林洪堡大学从事博士后研究，2012年得到中国科学院“百人计划”的资助，在中国科学院半导体研究所工作。2014年获国家优秀青年科学基金资助。
一直从事硅基半导体材料在量子器件、半导体新能源和LED领域的基础和应用研究。（1）研制出基于高k叠层栅介质的高性能硅MOS量子器件，并观测到整数量子霍尔效应和SdH振荡，二维电子气迁移率达到20300 cm2/V.s；发展出低热预算硅锗量子器件工艺，并验证了硅锗超晶格结构（Si4Ge4）可以有效束缚二维电子气。（2）系统研究了贵金属（Ag，Cu）离子催化晶硅化学腐蚀微观机制；提出传统晶硅光伏工艺结合湿法黑硅技术思路，明显改善了晶硅光伏电池效率和成本优势。（3）发展出与CMOS兼容的硅基氮化镓LED芯片工艺，研制出Si（100）V型槽衬底氮化物蓝、黄及白光芯片。近年来在Adv. Mater., Nano Lett., IEEE Trans. Electron Devices等国内外重要刊物上发表论文90余篇，SCI论文被他引3000多次。
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