陈启秀(1933- )
陈启秀，男，1933年2月出生，福建福州人．1956年于浙江大学电机工程系发电厂与电力系统专业毕业，留校任教，1958年负责筹建电机工程系电气绝缘与电线技术专业，1960年浙江大学无线电系正式成立半导体材料与器件专业，他调往该专业筹备成立工作，并担任半导体材料与器件教研室副主任，半导体物理与器件教研室主任，系务委员会委员，系学术委员会委员，1987年晋升为教授。现任信息与电子工程系半导体技术研究室主任，浙江大学功率器件研究所所长，浙江省电子学会常务理事，浙江省电子学会半异体与集成技术专业委员会主任，国家科委电力电子技术发展战略研究软课题研究组成员。
陈启秀教授担任过外国进修教师和硕士研究生导师，开设过电缆理论与设计、半导体器件、晶体管原理、半导体器件物理、双极与MOS大功率器件理论和微细加工物理学等本科生和研究生课程，开设并指导过半导体实验，经常下厂指导毕业生的毕业论文和毕业设计，研究生的课题方向多为新型的双极或MOS器件物理模型和器件的研究。
陈启秀教授长期从事双极与MOS功率FET的理论、设计和工艺技术的研究。在半导体功率器件方面，60年代末和70年代初率先在国内倡导关于功率晶体管二次击穿及其改善措施的研究，近年来又在国内首创了新型BST高速高压功率开关管。同时在MOS功率FET的研究方面，在国内首家完成了VV一MOSPowerFET的科研，通过成果鉴定并迅速转让技术到产业部门，填补了国内生产的空白。与天津市工厂合作进行MOS Power FET项目的研究，由国家经委、国家教委和中国科学院联合列为“七五”期间100项全国重点攻关项目之一。
1984年8月他赴美国作短期访问，考察了美国的微电子工业，1985年12月又赴美国参加国际电子器件学术会议．此外，他还注意同企业界的广泛联系与合作，1984年与厂方共同发起成立了浙江大学菱湖晶体管厂教学、科研、生产联合体，建立了联合体的技术开发中试基地和教学、科研基地。
陈启秀教授在科研成果鉴定会、省级和全国性的学术会议以及国际学术会议上共发表30余篇学术论文．其代表性的有：《硅三端式pnpn宽基区的开键特性与转折特性的分析》（《第一次全国半导体器件专业学术会议论文集》，国防工业出版社，1963年），《功率晶体管的二次击穿及其安全工作区》（《标准化通迅》1972年第2期），《晶体管的二次击穿及其改善措施》（《全国半导体硅大功率管抗烧毁技术会议论文集》，1974年，《VD一MOSFETRon一BVDs关系的研究》（《全国第四届半导体物理学术会议论文集》，1983年）,A Metal Gate Terraced一Gate0石deSelf--Aligned PowerVD一MOSFET,Preceedingof ICsICT,1986，《掺氧多晶硅薄膜及其应用》（《全国固体薄膜学
术会议论文集》，1988年8月出版）等。
他负责的VV一MOS功率FET技术获1981年中国科学院科技成果二等奖；VD一MOS功率FET,RFV一MOSFET和GAT的研究1984年分别获浙江省科技成果二等奖和三等奖；V一MOS功率FET的技术转让，使天津和杭州的有关工厂同时获1983年国家经委颁发的新产品金龙奖。目前他正在进行的有新工艺技术的研究，新型双极与MOS器件及其应用的研究，各种功率模块的研究，混合功率集成和SmartPowerIC的研究．